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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC8884
onsemi
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FDMC8884 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC8884
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC8884
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC8884.pdf
vorrätig: 5150

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Spezifikation

FDMC8884 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC8884 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC8884

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 685 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 15A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC88  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC8884.

Produkteigenschaften FDMC8884 FDMC8884 FDMC8882 FDMC8854
Artikelnummer FDMC8884 FDMC8884 FDMC8882 FDMC8854
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FDMC88 - FDMC88 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 685 pF @ 15 V 685 pF @ 15 V 945 pF @ 15 V 3405 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9A, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 14.3mOhm @ 10.5A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 15A (Tc) 9A (Ta), 15A (Tc) 10.5A (Ta), 16A (Tc) 15A (Tc)

FDMC8884 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC8884 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC8884 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 10/Jul/2017.pdf
Datenblätter
FDMC8884.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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