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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMD8280
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMD8280 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMD8280
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMD8280
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
12-PowerWDFN
Datenblatt
FDMD8280.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

FDMD8280 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMD8280 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMD8280

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 12-Power3.3x5  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 12-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMD82  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMD8280.

Produkteigenschaften FDMD8280 FDMD8280 FDME1024NZT FDMD8540L
Artikelnummer FDMD8280 FDMD8280 FDME1024NZT FDMD8540L
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 1W 1W 600mW 2.3W
FET-Merkmal - - Logic Level Gate -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 12-Power3.3x5 12-Power3.3x5 6-MicroFET (1.6x1.6) 8-Power 5x6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V 8.2mOhm @ 11A, 10V 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.5mOhm @ 33A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V 44nC @ 10V 4.2nC @ 4.5V 113nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V 80V 20V 40V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V 3050pF @ 40V 300pF @ 10V 7940pF @ 20V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Grundproduktnummer FDMD82 FDMD82 FDME1024 FDMD8540
Verpackung / Gehäuse 12-PowerWDFN 12-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A 11A 3.8A 33A, 156A

FDMD8280 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMD8280 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMD8280 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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