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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMD8280
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMD8280 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMD8280
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMD8280
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
12-PowerWDFN
Datenblatt
FDMD8280.pdf
vorrätig: 4390

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Anzahl

Spezifikation

FDMD8280 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMD8280 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMD8280

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 12-Power3.3x5  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 12-PowerWDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMD82  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMD8280.

Produkteigenschaften FDMD8280 FDME1034CZT FDMD8260L FDME1023PZT
Artikelnummer FDMD8280 FDME1034CZT FDMD8260L FDME1023PZT
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse 12-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad 12-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V 20V 60V 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 5.8mOhm @ 15A, 10V 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V 4.2nC @ 4.5V 68nC @ 10V 7.7nC @ 4.5V
Grundproduktnummer FDMD82 FDME1034 FDMD8260 FDME1023
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Leistung - max 1W 600mW 1W 600mW
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V 300pF @ 10V 5245pF @ 30V 405pF @ 10V
Supplier Device-Gehäuse 12-Power3.3x5 6-MicroFET (1.6x1.6) 12-Power3.3x5 6-UMLP (1.6x1.6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A 3.8A, 2.6A 15A 2.6A
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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