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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMD8260L
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMD8260L - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMD8260L
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMD8260L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
12-PowerWDFN
Datenblatt
FDMD8260L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4280

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Anzahl

Spezifikation

FDMD8260L Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMD8260L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMD8260L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 12-Power3.3x5  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 12-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMD8260  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMD8260L.

Produkteigenschaften FDMD8260L FDMD8540L FDMD8240LET40 FDMD8530
Artikelnummer FDMD8260L FDMD8540L FDMD8240LET40 FDMD8530
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V 1.5mOhm @ 33A, 10V 2.6mOhm @ 23A, 10V 1.25mOhm @ 35A, 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Leistung - max 1W 2.3W 50W 2.2W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 12-PowerWDFN 8-PowerWDFN 12-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 40V 40V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A 33A, 156A 24A 35A
Supplier Device-Gehäuse 12-Power3.3x5 8-Power 5x6 12-Power3.3x5 Power56
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V 113nC @ 10V 56nC @ 10V 149nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V 7940pF @ 20V 4230pF @ 20V 10395pF @ 15V
Grundproduktnummer FDMD8260 FDMD8540 FDMD8240 FDMD85

FDMD8260L Datenblatt PDF

Laden Sie FDMD8260L PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMD8260L - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
Datenblätter
FDMD8260L.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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