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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS3672
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS3672 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS3672
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS3672
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMS3672.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21571

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Anzahl

Spezifikation

FDMS3672 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS3672 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS3672

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (5x6), Power56  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2680 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Ta), 22A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS3672.

Produkteigenschaften FDMS3672 FDMS4D0N12C FDMS5352 FDMS3672
Artikelnummer FDMS3672 FDMS4D0N12C FDMS5352 FDMS3672
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 370A 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2680 pF @ 50 V 6460 pF @ 60 V 6940 pF @ 30 V 2680 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.4A, 10V 4mOhm @ 67A, 10V 6.7mOhm @ 13.6A, 10V 23mOhm @ 7.4A, 10V
Serie UltraFET™ PowerTrench® PowerTrench® -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Ta), 22A (Tc) 18.5A (Ta), 114A (Tc) 13.6A (Ta), 49A (Tc) 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 120 V 60 V 100 V
Grundproduktnummer FDMS36 FDMS4 - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (5x6), Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-MLP (5x6), Power56
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDMS3672 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS3672 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS3672 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMS3672.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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