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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS4435BZ
onsemi
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FDMS4435BZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS4435BZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS4435BZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS4435BZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45730

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Anzahl

Spezifikation

FDMS4435BZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS4435BZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS4435BZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 18A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS4435  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS4435BZ.

Produkteigenschaften FDMS4435BZ FDMS4435BZ FDMS5352 FDMS4D4N08C
Artikelnummer FDMS4435BZ FDMS4435BZ FDMS5352 FDMS4D4N08C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Grundproduktnummer FDMS4435 - - FDMS4D4
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 60 V 80 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 39W (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 125W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 15 V 2050 pF @ 15 V 6940 pF @ 30 V 4090 pF @ 40 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6), Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 18A (Tc) 9A (Ta), 18A (Tc) 13.6A (Ta), 49A (Tc) 123A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V 20mOhm @ 9A, 10V 6.7mOhm @ 13.6A, 10V 4.3mOhm @ 44A, 10V

FDMS4435BZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS4435BZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS4435BZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 21/Feb/2019.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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