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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS4D0N12C
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS4D0N12C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS4D0N12C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS4D0N12C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS4D0N12C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15808

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Anzahl

Spezifikation

FDMS4D0N12C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS4D0N12C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS4D0N12C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 370A  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 67A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 106W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6460 pF @ 60 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.5A (Ta), 114A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS4D0N12C.

Produkteigenschaften FDMS4D0N12C FDMS5352 FDMS5362L-F085 FDMS4D4N08C
Artikelnummer FDMS4D0N12C FDMS5352 FDMS5362L-F085 FDMS4D4N08C
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6460 pF @ 60 V 6940 pF @ 30 V 878 pF @ 25 V 4090 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 370A 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer FDMS4 FDMS53 FDMS53 FDMS4D4
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6), Power56
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V 60 V 60 V 80 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 67A, 10V 6.7mOhm @ 13.6A, 10V 33mOhm @ 17.6A, 10V 4.3mOhm @ 44A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.5A (Ta), 114A (Tc) 13.6A (Ta), 49A (Tc) 17.6A (Tc) 123A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 106W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 41.7W (Tc) 125W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V

FDMS4D0N12C Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS4D0N12C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS4D0N12C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Retraction 4/Jan/2023.pdf
Datenblätter
FDMS4D0N12C.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Parameters Maximum Limit Update 24/Nov/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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