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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS4D4N08C
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS4D4N08C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS4D4N08C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS4D4N08C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS4D4N08C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21816

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Anzahl

Spezifikation

FDMS4D4N08C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS4D4N08C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS4D4N08C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6), Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4090 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 123A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS4D4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS4D4N08C.

Produkteigenschaften FDMS4D4N08C FDMS4435BZ FDMS3672 FDMS3672
Artikelnummer FDMS4D4N08C FDMS4435BZ FDMS3672 FDMS3672
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6), Power56 8-PQFN (5x6) 8-MLP (5x6), Power56 8-MLP (5x6), Power56
Grundproduktnummer FDMS4D4 FDMS4435 - FDMS36
Serie PowerTrench® PowerTrench® - UltraFET™
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4090 pF @ 40 V 2050 pF @ 15 V 2680 pF @ 50 V 2680 pF @ 50 V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 30 V 100 V 100 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 123A (Tc) 9A (Ta), 18A (Tc) 7.4A (Ta), 22A (Tc) 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V 20mOhm @ 9A, 10V 23mOhm @ 7.4A, 10V 23mOhm @ 7.4A, 10V

FDMS4D4N08C Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS4D4N08C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS4D4N08C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMS4D4N08C.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
PQFN56 Wire Source 9/Dec/2020.pdf

Lieferung

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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