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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF10N50FT
FDPF10N50FT Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDPF10N50FT - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF10N50FT
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF10N50FT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF10N50F(T).pdf
RoHS Status
vorrätig: 31539

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Anzahl

Spezifikation

FDPF10N50FT Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF10N50FT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF10N50FT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1170 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF10N50FT.

Produkteigenschaften FDPF10N50FT FDPF085N10A FDPF10N60NZ FDPF10N50UT
Artikelnummer FDPF10N50FT FDPF085N10A FDPF10N60NZ FDPF10N50UT
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDPF10 FDPF085 - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1170 pF @ 25 V 2695 pF @ 50 V 1475 pF @ 25 V 1130 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 40A (Tc) 10A (Tc) 8A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.5A, 10V 8.5mOhm @ 40A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 1.05Ohm @ 4A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 33.3W (Tc) 38W (Tc) 42W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie UniFET™ PowerTrench® UniFET-II™ UniFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 600 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V

FDPF10N50FT Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF10N50FT PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF10N50FT - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FDPF10N50F(T).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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