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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF10N50UT
Fairchild Semiconductor
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FDPF10N50UT - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDPF10N50UT
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF10N50UT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF10N50UT.pdf
vorrätig: 38830

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Spezifikation

FDPF10N50UT Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDPF10N50UT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDPF10N50UT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDPF10N50UT.

Produkteigenschaften FDPF10N50UT FDPF10N60NZ FDPF12N35 FDPF10N50UT
Artikelnummer FDPF10N50UT FDPF10N60NZ FDPF12N35 FDPF10N50UT
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V 1475 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1130 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie UniFET™ UniFET-II™ UniFET™ UniFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 38W (Tc) 31.3W (Tc) 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Bulk Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 350 V 500 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc) 8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 1.05Ohm @ 4A, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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