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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF51N25
FDPF51N25 Image
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FDPF51N25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF51N25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF51N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDP51N25, FDPF51N25.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10892

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Anzahl

Spezifikation

FDPF51N25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF51N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF51N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3410 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF51N25.

Produkteigenschaften FDPF51N25 FDPF39N20 FDPF5N50NZF FDPF55N06
Artikelnummer FDPF51N25 FDPF39N20 FDPF5N50NZF FDPF55N06
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET-II™ UniFET™
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 200 V 500 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Tc) 39A (Tc) 4.2A (Tc) 55A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Verlustleistung (max) 38W (Tc) 37W (Tc) 30W (Tc) 48W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FDPF51 FDPF39 - -
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25.5A, 10V 66mOhm @ 19.5A, 10V 1.75Ohm @ 2.1A, 10V 22mOhm @ 27.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3410 pF @ 25 V 2130 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDPF51N25 Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF51N25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF51N25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf FDPF51N25 20/Sep/2022.pdf
Datenblätter
FDP51N25, FDPF51N25.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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