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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF4N60NZ
FDPF4N60NZ Image
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FDPF4N60NZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF4N60NZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF4N60NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF4N60NZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4170

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Anzahl

Spezifikation

FDPF4N60NZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF4N60NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF4N60NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET-II™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF4N60NZ.

Produkteigenschaften FDPF4N60NZ FDPF52N20T FDPF5N50FT FDPF5N50NZ
Artikelnummer FDPF4N60NZ FDPF52N20T FDPF5N50FT FDPF5N50NZ
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc) 52A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FDPF4 FDPF5 - FDPF5
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 200 V 500 V 500 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.9A, 10V 49mOhm @ 26A, 10V 1.55Ohm @ 2.25A, 10V 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie UniFET-II™ UniFET™ UniFET™ UniFET-II™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 28W (Tc) 38.5W (Tc) 28W (Tc) 30W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

FDPF4N60NZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF4N60NZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF4N60NZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FDPF4N60NZ.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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