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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF55N06
FDPF55N06 Image
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FDPF55N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF55N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF55N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDP55N06, FDPF55N06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 47960

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Anzahl

Spezifikation

FDPF55N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF55N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF55N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF55N06.

Produkteigenschaften FDPF55N06 FDPF44N25T FDPF5N50FT FDPF51N25
Artikelnummer FDPF55N06 FDPF44N25T FDPF5N50FT FDPF51N25
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 250 V 500 V 250 V
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 38W (Tc) 28W (Tc) 38W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V 2870 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 3410 pF @ 25 V
Grundproduktnummer FDPF55 FDPF44 - FDPF51
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 44A (Tc) 4.5A (Tc) 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 27.5A, 10V 69mOhm @ 22A, 10V 1.55Ohm @ 2.25A, 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V

FDPF55N06 Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF55N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF55N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDP55N06, FDPF55N06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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