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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS7088N3
FDS7088N3 Image
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FDS7088N3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS7088N3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS7088N3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
FDS7088N3.pdf
vorrätig: 3810

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Anzahl

Spezifikation

FDS7088N3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS7088N3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS7088N3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS7088N3.

Produkteigenschaften FDS7088N3 FDS7079ZN3 FDS7088N3 FDS7088SN3
Artikelnummer FDS7088N3 FDS7079ZN3 FDS7088N3 FDS7088SN3
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V 3630 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 3230 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta) 16A (Ta) 21A (Ta) 21A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 55 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 80 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP 8-SO FLMP 8-SO 8-SO
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3.13W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V 7.5mOhm @ 16A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDS70 FDS70 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDS7088N3 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS7088N3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS7088N3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Datenblätter
FDS7088N3.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FDS7088N3

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32D-FDS7088N3

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