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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS7088N7
Fairchild Semiconductor
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FDS7088N7 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDS7088N7
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDS7088N7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS7088N7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16035

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Anzahl

Spezifikation

FDS7088N7 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDS7088N7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDS7088N7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDS7088N7.

Produkteigenschaften FDS7088N7 FDS7096N3 FDS7079ZN3 FDS7088N3
Artikelnummer FDS7088N7 FDS7096N3 FDS7079ZN3 FDS7088N3
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 7.5mOhm @ 16A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SOIC 8-SO FLMP 8-SO FLMP
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3.13W (Ta) 3W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta) 14A (Ta) 16A (Ta) 21A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V 1587 pF @ 15 V 3630 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 55 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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