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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS7088N3
Fairchild Semiconductor
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FDS7088N3 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDS7088N3
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDS7088N3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS7088N3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18225

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Anzahl

Spezifikation

FDS7088N3 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDS7088N3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDS7088N3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDS7088N3.

Produkteigenschaften FDS7088N3 FDS7088SN3 FDS7079ZN3 FDS7066N3
Artikelnummer FDS7088N3 FDS7088SN3 FDS7079ZN3 FDS7066N3
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO FLMP 8-SO FLMP 8-SO FLMP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta) 21A (Ta) 16A (Ta) 23A (Ta)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V 3230 pF @ 15 V 3630 pF @ 15 V 4973 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V 7.5mOhm @ 16A, 10V 5.5mOhm @ 23A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 80 nC @ 10 V 55 nC @ 5 V 69 nC @ 5 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3.13W (Ta) 3W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±16V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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