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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQAF5N90
FQAF5N90 Image
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FQAF5N90 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQAF5N90
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQAF5N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
FQAF5N90.pdf
vorrätig: 4390

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Anzahl

Spezifikation

FQAF5N90 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQAF5N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQAF5N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 2.05A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Tc)  
Grundproduktnummer FQAF5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQAF5N90.

Produkteigenschaften FQAF5N90 FQAF7N90 FQAF5N90 FQAF19N60
Artikelnummer FQAF5N90 FQAF7N90 FQAF5N90 FQAF19N60
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 900 V 900 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Tc) 5.2A (Tc) 4.1A (Tc) 11.2A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer FQAF5 FQAF7 - -
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 107W (Tc) 90W (Tc) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 2.05A, 10V 1.55Ohm @ 2.6A, 10V 2.3Ohm @ 2.05A, 10V 380mOhm @ 5.6A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V 2280 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FQAF5N90 Datenblatt PDF

Laden Sie FQAF5N90 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQAF5N90 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQAF5N90.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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