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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQAF65N06
FQAF65N06 Image
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FQAF65N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQAF65N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQAF65N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 49A TO3PF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
FQAF65N06.pdf
vorrätig: 4050

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Spezifikation

FQAF65N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQAF65N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQAF65N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 24.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 86W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc)  
Grundproduktnummer FQAF6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQAF65N06.

Produkteigenschaften FQAF65N06 FQAF7N90 FQAF27N25 FQAF9P25
Artikelnummer FQAF65N06 FQAF7N90 FQAF27N25 FQAF9P25
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Verlustleistung (max) 86W (Tc) 107W (Tc) 95W (Tc) 70W (Tc)
Grundproduktnummer FQAF6 FQAF7 - FQAF9
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 24.5A, 10V 1.55Ohm @ 2.6A, 10V 110mOhm @ 9.5A, 10V 620mOhm @ 3.55A, 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 900 V 250 V 250 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 25 V 2280 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V 1180 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc) 5.2A (Tc) 19A (Tc) 7.1A (Tc)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V

FQAF65N06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQAF65N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQAF65N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQAF65N06.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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