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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQI9N50CTU
onsemi
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FQI9N50CTU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQI9N50CTU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQI9N50CTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FQI9N50CTU.pdf
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

FQI9N50CTU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQI9N50CTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQI9N50CTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 135W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer FQI9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQI9N50CTU.

Produkteigenschaften FQI9N50CTU FQI7N60TU FQI7N80TU FQI9N50CTU
Artikelnummer FQI9N50CTU FQI7N60TU FQI7N80TU FQI9N50CTU
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQI9 FQI7N60 FQI7N80 -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 800 V 500 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 135W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 135W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 7.4A (Tc) 6.6A (Tc) 9A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FQI9N50CTU Datenblatt PDF

Laden Sie FQI9N50CTU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQI9N50CTU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Passivation Material 14/May/2008.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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