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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF19N20
FQPF19N20 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQPF19N20 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF19N20
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF19N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF19N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3970

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Anzahl

Spezifikation

FQPF19N20 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF19N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF19N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF19  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF19N20.

Produkteigenschaften FQPF19N20 FQPF19N20C FQPF18N50V2 FQPF20N06L
Artikelnummer FQPF19N20 FQPF19N20C FQPF18N50V2 FQPF20N06L
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 500 V 60 V
Grundproduktnummer FQPF19 FQPF19 FQPF1 FQPF20
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 43W (Tc) 69W (Tc) 30W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.8A (Tc) 19A (Tc) 18A (Tc) 15.7A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V 170mOhm @ 9.5A, 10V 265mOhm @ 9A, 10V 55mOhm @ 7.85A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FQPF19N20 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF19N20 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF19N20 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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