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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF19N20C
FQPF19N20C Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQPF19N20C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF19N20C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF19N20C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQP19N20C, FQPF19N20C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70160

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Anzahl

Spezifikation

FQPF19N20C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF19N20C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF19N20C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 9.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF19  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF19N20C.

Produkteigenschaften FQPF19N20C FQPF19N10 FQPF19N20 FQPF19N10
Artikelnummer FQPF19N20C FQPF19N10 FQPF19N20 FQPF19N10
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 200 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V 780 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 780 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 9.5A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V 150mOhm @ 5.9A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 13.6A (Tc) 11.8A (Tc) 13.6A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 43W (Tc) 38W (Tc) 50W (Tc) 38W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Paket Tube Bulk Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FQPF19 - FQPF19 FQPF19

FQPF19N20C Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF19N20C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF19N20C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FQP19N20C, FQPF19N20C.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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