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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF19N20
Fairchild Semiconductor
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FQPF19N20 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQPF19N20
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF19N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF19N20.pdf
vorrätig: 33691

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Anzahl

Spezifikation

FQPF19N20 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQPF19N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQPF19N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQPF19N20.

Produkteigenschaften FQPF19N20 FQPF19N10L FQPF20N06L FQPF19N10L
Artikelnummer FQPF19N20 FQPF19N10L FQPF20N06L FQPF19N10L
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.8A (Tc) 13.6A (Tc) 15.7A (Tc) 13.6A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V 55mOhm @ 7.85A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 38W (Tc) 30W (Tc) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 60 V 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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