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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF20N06
FQPF20N06 Image
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FQPF20N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF20N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF20N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 15A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF20N06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3890

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Anzahl

Spezifikation

FQPF20N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF20N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF20N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF20N06.

Produkteigenschaften FQPF20N06 FQPF19N20 FQPF19N10L FQPF19N20
Artikelnummer FQPF20N06 FQPF19N20 FQPF19N10L FQPF19N20
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FQPF20 - - FQPF19
Paket Tube Bulk Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 11.8A (Tc) 13.6A (Tc) 11.8A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 7.5A, 10V 150mOhm @ 5.9A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V 150mOhm @ 5.9A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 100 V 200 V
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 50W (Tc) 38W (Tc) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V

FQPF20N06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF20N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF20N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FQPF20N06.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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