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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF4N20
FQPF4N20 Image
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FQPF4N20 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF4N20
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF4N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF4N20.pdf
vorrätig: 4070

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Anzahl

Spezifikation

FQPF4N20 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF4N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF4N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF4N20.

Produkteigenschaften FQPF4N20 FQPF46N15 FQPF4N60 FQPF47P06YDTU
Artikelnummer FQPF4N20 FQPF46N15 FQPF4N60 FQPF47P06YDTU
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Verlustleistung (max) 27W (Tc) 66W (Tc) 36W (Tc) 62W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 25.6A (Tc) 2.6A (Tc) 30A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer FQPF4 - - FQPF4
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 (Y-Forming)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 600 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 42mOhm @ 12.8A, 10V 2.2Ohm @ 1.3A, 10V 26mOhm @ 15A, 10V

FQPF4N20 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF4N20 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF4N20 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF4N20.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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