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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF4N20L
FQPF4N20L Image
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FQPF4N20L - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF4N20L
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF4N20L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 3A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF4N20L.pdf
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

FQPF4N20L Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF4N20L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF4N20L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF4N20L.

Produkteigenschaften FQPF4N20L FQPF46N15 FQPF47P06YDTU FQPF4N80
Artikelnummer FQPF4N20L FQPF46N15 FQPF47P06YDTU FQPF4N80
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 60 V 800 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 25.6A (Tc) 30A (Tc) 2.2A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FQPF4 FQPF4 FQPF4 FQPF4
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.5A, 10V 42mOhm @ 12.8A, 10V 26mOhm @ 15A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 27W (Tc) 66W (Tc) 62W (Tc) 43W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3

FQPF4N20L Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF4N20L PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF4N20L - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF4N20L.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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