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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF4N25
FQPF4N25 Image
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FQPF4N25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF4N25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF4N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF4N25.pdf
vorrätig: 5490

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Anzahl

Spezifikation

FQPF4N25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF4N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF4N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 32W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF4N25.

Produkteigenschaften FQPF4N25 FQPF4N80 FQPF45N15V2 FQPF4N50
Artikelnummer FQPF4N25 FQPF4N80 FQPF45N15V2 FQPF4N50
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 1.4A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 40mOhm @ 22.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.15A, 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Grundproduktnummer FQPF4 FQPF4 FQPF4 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 800 V 150 V 500 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 32W (Tc) 43W (Tc) 66W (Tc) 35W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 2.2A (Tc) 45A (Tc) 2.3A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FQPF4N25 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF4N25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF4N25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF4N25.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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