Spezifikation
HGT1S7N60A4DS Tech -Spezifikationen
onsemi - HGT1S7N60A4DS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HGT1S7N60A4DS
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
600 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2.7V @ 15V, 7A |
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| Testbedingung |
390V, 7A, 25Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
11ns/100ns |
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| Schaltenergie |
55µJ (on), 60µJ (off) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
D²PAK (TO-263) |
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| Serie |
- |
|
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) |
34 ns |
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| Leistung - max |
125 W |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Paket |
Tube |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
- |
|
| Gate-Ladung |
37 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
56 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
34 A |
|
| Grundproduktnummer |
HGT1S7N60 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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HGT1S7N60C3DHarris CorporationHGT1S7N60 - N-CHANNEL INSULATED
HGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAK
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)