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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedIMD10AMT1G
IMD10AMT1G Image
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IMD10AMT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IMD10AMT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IMD10AMT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
IMD10AMT1G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 324410

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Anzahl

Spezifikation

IMD10AMT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - IMD10AMT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IMD10AMT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-74R  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 13kOhms, 130Ohms  
Leistung - max 285mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA  
Grundproduktnummer IMD10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IMD10AMT1G.

Produkteigenschaften IMD10AMT1G IMD2AT108 IMD14T108 IMD1AT108
Artikelnummer IMD10AMT1G IMD2AT108 IMD14T108 IMD1AT108
Hersteller onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Supplier Device-Gehäuse SC-74R SMT6 SMT6 SMT6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 5mA
Leistung - max 285mW 300mW 300mW 300mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 82 @ 100mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Grundproduktnummer IMD10 IMD2 IMD14 IMD1
Widerstand - Basis (R1) 13kOhms, 130Ohms 22kOhms 220Ohms 22kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA 100mA 500mA 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Serie - - - -
Frequenz - Übergang - 250MHz 250MHz 250MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 22kOhms 10kOhms -
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

IMD10AMT1G Datenblatt PDF

Laden Sie IMD10AMT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für IMD10AMT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Fab Site Add 2/Nov/2017.pdf
Datenblätter
IMD10AMT1G.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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