Spezifikation
MJD112G Tech -Spezifikationen
onsemi - MJD112G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJD112G
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
100 V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
3V @ 40mA, 4A |
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| Transistor-Typ |
NPN - Darlington |
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| Supplier Device-Gehäuse |
DPAK |
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| Serie |
- |
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| Leistung - max |
1.75 W |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Paket |
Tube |
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| Betriebstemperatur |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Frequenz - Übergang |
25MHz |
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| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
1000 @ 2A, 3V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
20µA |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
2 A |
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| Grundproduktnummer |
MJD112 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.
MJD112-RTFKEC
MJD112/117AMI Semiconductor/onsemi
MJD112T4STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112TFonsemiTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK