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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTJD5121NT2G
NTJD5121NT2G Image
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NTJD5121NT2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTJD5121NT2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTJD5121NT2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
NTJD5121N, NVJD5121N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 311750

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Anzahl

Spezifikation

NTJD5121NT2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTJD5121NT2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTJD5121NT2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 295mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTJD5121  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTJD5121NT2G.

Produkteigenschaften NTJD5121NT2G NTJD4401NT2 NTJD4158CT1G NTJD5121NT1G
Artikelnummer NTJD5121NT2G NTJD4401NT2 NTJD4158CT1G NTJD5121NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V - 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 - SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V - 1.5nC @ 5V 0.9nC @ 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 250mW - 270mW 250mW
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 295mA - 250mA, 880mA 295mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V - 33pF @ 5V 26pF @ 20V
Grundproduktnummer NTJD5121 NTJD44 NTJD4158 NTJD5121
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V - 30V, 20V 60V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA - 1.5V @ 100µA 2.5V @ 250µA
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NTJD5121NT2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTJD5121NT2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTJD5121NT2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/Mat Chg 14/May/2021.pdf
Datenblätter
NTJD5121N, NVJD5121N.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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