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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTJD4158CT2G
NTJD4158CT2G Image
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NTJD4158CT2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTJD4158CT2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTJD4158CT2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
NTJD4158C.pdf
vorrätig: 5000

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Anzahl

Spezifikation

NTJD4158CT2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTJD4158CT2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTJD4158CT2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V  
Leistung - max 270mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V, 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA, 880mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer NTJD4158  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTJD4158CT2G.

Produkteigenschaften NTJD4158CT2G NTJD4152PT1G NTJD4152PT1 NTJD5121NT1G
Artikelnummer NTJD4158CT2G NTJD4152PT1G NTJD4152PT1 NTJD5121NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NTJD4158 NTJD4152 NTJD4152 NTJD5121
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V 2.2nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V, 20V 20V 20V 60V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V 155pF @ 20V 155pF @ 20V 26pF @ 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA, 880mA 880mA 880mA 295mA
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Leistung - max 270mW 272mW 272mW 250mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA

NTJD4158CT2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTJD4158CT2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTJD4158CT2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Jan/2012.pdf Mult Dev EOL 17/Apr/2019.pdf
Datenblätter
NTJD4158C.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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