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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTJD4401NT1G
NTJD4401NT1G Image
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NTJD4401NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTJD4401NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTJD4401NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
NTJD4401N.pdf
NTJD4401N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 360080

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Spezifikation

NTJD4401NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTJD4401NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTJD4401NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V  
Leistung - max 270mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 630mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTJD4401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTJD4401NT1G.

Produkteigenschaften NTJD4401NT1G NTJD5121NT2G NTJD4152PT1G NTJD4158CT1G
Artikelnummer NTJD4401NT1G NTJD5121NT2G NTJD4152PT1G NTJD4158CT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 0.9nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 1.5nC @ 5V
Grundproduktnummer NTJD4401 NTJD5121 NTJD4152 NTJD4158
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 630mA 295mA 880mA 250mA, 880mA
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V 26pF @ 20V 155pF @ 20V 33pF @ 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Leistung - max 270mW 250mW 272mW 270mW
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.5V @ 100µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 60V 20V 30V, 20V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NTJD4401NT1G Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTJD4401N.pdf
HTML -Datenblatt
NTJD4401N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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