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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTJS4405NT4G
NTJS4405NT4G Image
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NTJS4405NT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTJS4405NT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTJS4405NT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
NTJS4405N.pdf
vorrätig: 4690

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Spezifikation

NTJS4405NT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTJS4405NT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTJS4405NT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 600mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 630mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta)  
Grundproduktnummer NTJS44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTJS4405NT4G.

Produkteigenschaften NTJS4405NT4G NTJS4151PT1G NTJS4160NT1G NTJS4405NT1G
Artikelnummer NTJS4405NT4G NTJS4151PT1G NTJS4160NT1G NTJS4405NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer NTJS44 NTJS4151 NTJS41 NTJS4405
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V 850 pF @ 10 V 230 pF @ 10 V 60 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta) 3.3A (Ta) 1.8A (Ta) 1A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 20 V 30 V 25 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±20V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 600mA, 4.5V 60mOhm @ 3.3A, 4.5V 60mOhm @ 2.6A, 10V 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Verlustleistung (max) 630mW (Ta) 1W (Ta) 300mW (Ta) 630mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 2.75 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NTJS4405NT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NTJS4405NT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTJS4405NT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTJS4405N.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 11/Jul/2008.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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