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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTTD1P02R2
NTTD1P02R2 Image
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NTTD1P02R2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTD1P02R2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTD1P02R2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
NTTD1P02R2.pdf
vorrätig: 4280

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Spezifikation

NTTD1P02R2 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTD1P02R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTD1P02R2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.45A, 4.5V  
Leistung - max 500mW  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.45A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTTD1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTD1P02R2.

Produkteigenschaften NTTD1P02R2 NTTFD2D8N03P1E NTTFS012N10MDTAG NTTFS4823NTAG
Artikelnummer NTTD1P02R2 NTTFD2D8N03P1E NTTFS012N10MDTAG NTTFS4823NTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Leistung - max 500mW 1.04W (Ta), 26W (Ta) - -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.45A 16.1A (Ta), 80A (Tc) 9.2A (Ta), 45A (Tc) 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 100 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V 13 nC @ 10 V 9 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 12-PowerWQFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - PowerTrench® - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 3V @ 400µA 4V @ 78µA 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP 12-WQFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 16V 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V 965 pF @ 50 V 1013 pF @ 12 V
Grundproduktnummer NTTD1 NTTFD2 - NTTFS4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.45A, 4.5V 2.5mOhm @ 18A, 10V 14.4mOhm @ 15A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -

NTTD1P02R2 Datenblatt PDF

Laden Sie NTTD1P02R2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTD1P02R2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 06/Oct/2006.pdf
Datenblätter
NTTD1P02R2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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