NVA4153NT1G Tech -Spezifikationen
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - NVA4153NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie AMI Semiconductor / ON Semiconductor - NVA4153NT1G
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | onsemi | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±6V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-75, SOT-416 | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Verlustleistung (max) | 300mW (Ta) | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 | |
| Andere Namen | NVA4153NT1G-ND NVA4153NT1GOSTR |
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| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks | |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 16V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.82nC @ 4.5V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75, SOT-416 | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 915mA (Ta) |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie AMI Semiconductor / ON Semiconductor NVA4153NT1G.
| Produkteigenschaften |  |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | NVA4153NT1G | AOD492 | EPC2014C | FCPF11N60T |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | EPC | Fairchild Semiconductor |
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Die | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-75, SOT-416 | TO-252 (DPAK) | Die | TO-220F |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Andere Namen | NVA4153NT1G-ND NVA4153NT1GOSTR |
- | - | - |
| Befestigungsart | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 2mA | 5V @ 250µA |
| Verlustleistung (max) | 300mW (Ta) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | - | 36W (Tc) |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75, SOT-416 | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 915mA (Ta) | 85A (Tc) | 10A (Ta) | 11A (Tc) |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 16V | 4512 pF @ 15 V | 300 pF @ 20 V | 1490 pF @ 25 V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | 30 V | 40 V | 600 V |
| FET-Merkmal | - | Schottky Diode (Body) | - | - |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks | - | - | - |
| Serie | - | SRFET™ | eGaN® | SuperFET™ |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V | 4.4mOhm @ 20A, 10V | 16mOhm @ 10A, 5V | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | GaNFET (Gallium Nitride) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 5V | 10V |
| Typ FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.82nC @ 4.5V | 74 nC @ 10 V | 2.5 nC @ 5 V | 52 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±6V | ±20V | +6V, -4V | ±30V |
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AOD492Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 85A TO252EPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEFCPF11N60TFairchild Semiconductor11A, 600V, 0.38OHM, N-CHANNEL,
NVATS4A103PZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK
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RJK03J6DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFETNVATS5A302PLZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAKEPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIE
STD7NM80-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
NVMFS5C638NLT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
BUK78150-55A/CUXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223NVATS5A114PLZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAKNVATS5A112PLZT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
HUF75639S3STonsemiMOSFET N-CH 100V 56A D2PAKFDR836PFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFET
DMTH3004LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V PWRDI5060
IXFN260N17TIXYSMOSFET N-CH 170V 245A SOT227BNVATS5A108PLZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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