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NVATS5A112PLZT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer: NVATS5A112PLZT4G

Hersteller: onsemi

Allelco Artikelnummer: 32D-NVATS5A112PLZT4G

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK

detaillierte Beschreibung

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Datenblatt: NVATS5A112PLZ.pdf

RoHS Status

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vorrätig: 3730

Spezifikation

NVATS5A112PLZT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVATS5A112PLZT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVATS5A112PLZT4G

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DPAK/ATPAK
Serie	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)	48W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.5 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	27A (Ta)
Grundproduktnummer	NVATS5

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVATS5A112PLZT4G.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	NVATS5A112PLZT4G	MTP2P50E	NVA4153NT1G	AON6702
Hersteller	onsemi	onsemi	AMI Semiconductor / ON Semiconductor	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-220-3	SC-75, SOT-416	8-PowerSMD, Flat Leads
Befestigungsart	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	27A (Ta)	2A (Tc)	915mA (Ta)	26A (Ta), 85A (Tc)
Serie	Automotive, AEC-Q101	-	-	SRFET™
Supplier Device-Gehäuse	DPAK/ATPAK	TO-220	SC-75, SOT-416	8-DFN (5x6)
FET-Merkmal	-	-	-	Schottky Diode (Body)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tube	-	Tape & Reel (TR)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V	500 V	20V	30 V
Grundproduktnummer	NVATS5	MTP2P	-	AON67
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 20 V	1183 pF @ 25 V	110pF @ 16V	7080 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	10V	1.5V, 4.5V	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43mOhm @ 13A, 10V	6Ohm @ 1A, 10V	230 mOhm @ 600mA, 4.5V	2mOhm @ 20A, 10V
Typ FET	P-Channel	P-Channel	N-Channel	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.5 nC @ 10 V	27 nC @ 10 V	1.82nC @ 4.5V	123 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	±20V	±6V	±20V
Verlustleistung (max)	48W (Tc)	75W (Tc)	300mW (Ta)	2.3W (Ta), 83W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA	4V @ 250µA	1.1V @ 250µA	2.4V @ 250µA

NVATS5A112PLZT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NVATS5A112PLZT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVATS5A112PLZT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL: Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Datenblätter: NVATS5A112PLZ.pdf

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Europa	Deutschland	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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