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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFC13N50
IXFC13N50 Image
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IXFC13N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFC13N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFC13N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOPLUS220™
Datenblatt
IXFC13N50.pdf
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

IXFC13N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFC13N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFC13N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFC13N50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFC13N50.

Produkteigenschaften IXFC13N50 IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFC80N08
Artikelnummer IXFC13N50 IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFC80N08
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 5.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 960W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ ISOPLUS220™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 80A (Tc) 13A (Tc) 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™ PLUS264™ ISOPLUS220™ ISOPLUS220™
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXFC13N50 IXFB80 IXFC15N80 IXFC80N08
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 40A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 800 V 80 V

IXFC13N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFC13N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFC13N50 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Datenblätter
IXFC13N50.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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