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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVATS5A114PLZT4G
NVATS5A114PLZT4G Image
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NVATS5A114PLZT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVATS5A114PLZT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVATS5A114PLZT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NVATS5A114PLZT4G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5240

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Anzahl

Spezifikation

NVATS5A114PLZT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVATS5A114PLZT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVATS5A114PLZT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ATPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 72W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Ta)  
Grundproduktnummer NVATS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVATS5A114PLZT4G.

Produkteigenschaften NVATS5A114PLZT4G CPH3351-TL-H IXFN150N10 FDB5690
Artikelnummer NVATS5A114PLZT4G CPH3351-TL-H IXFN150N10 FDB5690
Hersteller onsemi AMI Semiconductor / ON Semiconductor IXYS onsemi
Paket Tape & Reel (TR) - Bulk Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101 - HiPerFET™ PowerTrench®
Supplier Device-Gehäuse ATPAK 3-CPH SOT-227B D²PAK (TO-263)
Verlustleistung (max) 72W (Tc) 1W (Ta) 520W (Tc) 58W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA - 4V @ 8mA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Chassis Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 10V 6V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60V 100 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 28A, 10V 250 mOhm @ 1A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 27mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer NVATS5 - IXFN150 FDB569
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 20 V 262pF @ 20V 9000 pF @ 25 V 1120 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Ta) 1.8A (Ta) 150A (Tc) 32A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 6nC @ 10V 360 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

NVATS5A114PLZT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NVATS5A114PLZT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVATS5A114PLZT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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