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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNVLJD4007NZTAG
NVLJD4007NZTAG Image
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NVLJD4007NZTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVLJD4007NZTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVLJD4007NZTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 245MA 6WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
NVLJD4007NZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

NVLJD4007NZTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVLJD4007NZTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVLJD4007NZTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WDFN (2x2)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 125mA, 4.5V  
Leistung - max 755mW  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 245mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NVLJD4007  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVLJD4007NZTAG.

Produkteigenschaften NVLJD4007NZTAG FDM2452NZ DMG4800LSDQ-13 IRFH4251DTRPBF
Artikelnummer NVLJD4007NZTAG FDM2452NZ DMG4800LSDQ-13 IRFH4251DTRPBF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Diodes Incorporated Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101 PowerTrench® Automotive, AEC-Q101 FASTIRFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 755mW 800mW (Ta) 1.17W 31W, 63W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 19nC @ 4.5V 8.56nC @ 5V 15nC @ 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V 980pF @ 15V 798pF @ 10V 1314pF @ 13V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA 2.1V @ 35µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 125mA, 4.5V 21mOhm @ 8.1A, 4.5V 16mOhm @ 9A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 245mA 8.1A (Ta) 7.5A (Ta) 64A, 188A
Grundproduktnummer NVLJD4007 FDM2452 DMG4800 IRFH4251
Supplier Device-Gehäuse 6-WDFN (2x2) 6-MLP (2x5) 8-SOP PG-TISON-8
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NVLJD4007NZTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NVLJD4007NZTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVLJD4007NZTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Datenblätter
NVLJD4007NZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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