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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFS4824NTAG
onsemi
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NVTFS4824NTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFS4824NTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFS4824NTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS4824N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5440

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Anzahl

Spezifikation

NVTFS4824NTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFS4824NTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFS4824NTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 21W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.2A (Ta)  
Grundproduktnummer NVTFS4824  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFS4824NTAG.

Produkteigenschaften NVTFS4824NTAG NVTFS4823NTWG NVTFS4C06NWFTAG NVTFS4C08NTAG
Artikelnummer NVTFS4824NTAG NVTFS4823NTWG NVTFS4C06NWFTAG NVTFS4C08NTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) - 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 23A, 10V - 4.2mOhm @ 30A, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN - 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V - 26 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V
Grundproduktnummer NVTFS4824 NVTFS4 NVTFS4 NVTFS4
FET-Merkmal - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101 * Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.2A (Ta) - 21A (Ta) 17A (Ta)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 21W (Tc) - 3.1W (Ta), 37W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 12 V - 1683 pF @ 15 V 1113 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA - 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V

NVTFS4824NTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFS4824NTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFS4824NTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 06/Oct/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Capacity 27/Jul/2020.pdf
Datenblätter
NVTFS4824N.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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