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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFS4C05NWFTAG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVTFS4C05NWFTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFS4C05NWFTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFS4C05NWFTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS4C05N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25593

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Anzahl

Spezifikation

NVTFS4C05NWFTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFS4C05NWFTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFS4C05NWFTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 102A (Tc)  
Grundproduktnummer NVTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFS4C05NWFTAG.

Produkteigenschaften NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C08NTWG NVTFS030N06CTAG NVTFS4824NTWG
Artikelnummer NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C08NTWG NVTFS030N06CTAG NVTFS4824NTWG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 29.7mOhm @ 3A, 10V 4.7mOhm @ 23A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 15 V 1113 pF @ 15 V 255 pF @ 30 V 1740 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer NVTFS4 NVTFS4 NVTFS030 NVTFS4824
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 60 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 102A (Tc) 17A (Ta) 6A (Ta), 19A (Tc) 18.2A (Ta)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 13µA 2.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 68W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 2.5W (Ta), 23W (Tc) 3.2W (Ta), 21W (Tc)

NVTFS4C05NWFTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFS4C05NWFTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFS4C05NWFTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Fab Chg 8/Jan/2021.pdf
Datenblätter
NVTFS4C05N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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