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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFS4C08NTAG
onsemi
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NVTFS4C08NTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFS4C08NTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFS4C08NTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS4C08N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42720

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Anzahl

Spezifikation

NVTFS4C08NTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFS4C08NTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFS4C08NTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta)  
Grundproduktnummer NVTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFS4C08NTAG.

Produkteigenschaften NVTFS4C08NTAG NVTFS4823NTAG NVTFS4C10NWFTAG NVTFS4C10NTAG
Artikelnummer NVTFS4C08NTAG NVTFS4823NTAG NVTFS4C10NWFTAG NVTFS4C10NTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 21W (Tc) 3W (Ta), 28W (Tc) 3W (Ta), 28W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V 19.3 nC @ 10 V 19.3 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V 750 pF @ 12 V 993 pF @ 15 V 993 pF @ 15 V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta) 13A (Ta) 15.3A (Ta), 47A (Tc) 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Grundproduktnummer NVTFS4 NVTFS4823 NVTFS4 NVTFS4
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V 10.5mOhm @ 15A, 10V 7.4mOhm @ 30A, 10V 7.4mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA

NVTFS4C08NTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFS4C08NTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFS4C08NTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVTFS4C08N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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