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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVTFS4C10NWFTAG
onsemi
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NVTFS4C10NWFTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVTFS4C10NWFTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVTFS4C10NWFTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NVTFS4C10N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38610

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Anzahl

Spezifikation

NVTFS4C10NWFTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NVTFS4C10NWFTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVTFS4C10NWFTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 993 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.3A (Ta), 47A (Tc)  
Grundproduktnummer NVTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVTFS4C10NWFTAG.

Produkteigenschaften NVTFS4C10NWFTAG NVTFS4C13NTWG NVTFS4823NTWG NVTFS4C05NWFTAG
Artikelnummer NVTFS4C10NWFTAG NVTFS4C13NTWG NVTFS4823NTWG NVTFS4C05NWFTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 993 pF @ 15 V 770 pF @ 15 V - 1988 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) - 8-WDFN (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer NVTFS4 NVTFS4 NVTFS4 NVTFS4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.3A (Ta), 47A (Tc) 14A (Ta) - 22A (Ta), 102A (Tc)
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 28W (Tc) 3W (Ta), 26W (Tc) - 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 30A, 10V 9.4mOhm @ 30A, 10V - 3.6mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.3 nC @ 10 V 15.2 nC @ 10 V - 31 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA - 2.2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN - 8-PowerWDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 * Automotive, AEC-Q101
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)

NVTFS4C10NWFTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NVTFS4C10NWFTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVTFS4C10NWFTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021.pdf
Datenblätter
NVTFS4C10N.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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