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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF5N50FD
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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AOTF5N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF5N50FD
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF5N50FD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF5N50FD.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 52130

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Spezifikation

AOTF5N50FD Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF5N50FD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF5N50FD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF5  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF5N50FD.

Produkteigenschaften AOTF5N50FD AOTF7N60FD AOTF6N90 AOTF7N60
Artikelnummer AOTF5N50FD AOTF7N60FD AOTF6N90 AOTF7N60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 39W (Tc) 50W (Tc) 38.5W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 900 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 7A (Tc) 6A (Tc) 7A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA 4.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer AOTF5 AOTF7 AOTF6 AOTF7
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 995 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1035 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 1.45Ohm @ 3.5A, 10V 2.2Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 3.5A, 10V

AOTF5N50FD Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF5N50FD PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF5N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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