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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF6N90
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF6N90 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF6N90
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF6N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF6N90(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 44860

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Spezifikation

AOTF6N90 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF6N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF6N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF6N90.

Produkteigenschaften AOTF6N90 AOTF7N65 AOTF7N60FD AOTF7N70
Artikelnummer AOTF6N90 AOTF7N65 AOTF7N60FD AOTF7N70
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 38.5W (Tc) 39W (Tc) 38.5W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 650 V 600 V 700 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V 1.56Ohm @ 3.5A, 10V 1.45Ohm @ 3.5A, 10V 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer AOTF6 AOTF7 AOTF7 AOTF7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 995 pF @ 25 V 1175 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube

AOTF6N90 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF6N90 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF6N90 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf AOTF6N90(L).pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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