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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel64-2096PBF
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64-2096PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
64-2096PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-64-2096PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt
64-2096PBF.pdf
vorrätig: 5150

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Spezifikation

64-2096PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - 64-2096PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - 64-2096PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF2907  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies 64-2096PBF.

Produkteigenschaften 64-2096PBF APT10M07JVFR IXTX5N250 FQP3P20
Artikelnummer 64-2096PBF APT10M07JVFR IXTX5N250 FQP3P20
Hersteller Infineon Technologies Microchip Technology IXYS onsemi
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) ISOTOP® PLUS247™-3 TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V 21600 pF @ 25 V 8560 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Serie HEXFET® POWER MOS V® - QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) - 960W (Tc) 52W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 5mA 5V @ 1mA 5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 225A (Tc) 5A (Tc) 2.8A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 100 V 2500 V 200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 1050 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRF2907 APT10M07 IXTX5 FQP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 8.8Ohm @ 2.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V

64-2096PBF Datenblatt PDF

Laden Sie 64-2096PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für 64-2096PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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