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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6678TR1PBF
Infineon Technologies
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IRF6678TR1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6678TR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6678TR1PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6678TR1PBF.pdf
vorrätig: 4030

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Spezifikation

IRF6678TR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6678TR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6678TR1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6678TR1PBF.

Produkteigenschaften IRF6678TR1PBF IRF6668TR1PBF IRF6668TRPBF IRF6678TRPBF
Artikelnummer IRF6678TR1PBF IRF6668TR1PBF IRF6668TRPBF IRF6678TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V 1320 pF @ 25 V 1320 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 80 V 80 V 30 V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)

IRF6678TR1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6678TR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6678TR1PBF - Infineon Technologies herunter.

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