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AUIRF7341QTR Image
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AUIRF7341QTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7341QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7341QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7341QTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7341QTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7341QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7341QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V  
Leistung - max 2.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AUIRF7341  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7341QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7341QTR AUIRF7319Q AUIRF7379QTR AUIRF7343QTR
Artikelnummer AUIRF7341QTR AUIRF7319Q AUIRF7379QTR AUIRF7343QTR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V 650pF @ 25V 520pF @ 25V 740pF @ 25V
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A 6.5A, 4.9A 5.8A, 4.3A 4.7A, 3.4A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V 33nC @ 10V 25nC @ 10V 36nC @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 30V 30V 55V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 2.4W 2W 2.5W 2W
Grundproduktnummer AUIRF7341 AUIRF7319 AUIRF7379 AUIRF7343
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

AUIRF7341QTR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7341QTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7341QTR - Infineon Technologies herunter.

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