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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFL014NTR
International Rectifier
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AUIRFL014NTR - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRFL014NTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFL014NTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AUTOMOTIVE POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
AUIRFL014NTR.pdf
vorrätig: 83660

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFL014NTR Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRFL014NTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRFL014NTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRFL014NTR.

Produkteigenschaften AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFN8401TR AUIRFB8409
Artikelnummer AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFN8401TR AUIRFB8409
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 40 V 40 V
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 4.2W (Ta), 63W (Tc) 375W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 2170 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 PQFN (5x6) TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 2.8A (Ta) 84A (Tc) 195A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.9A, 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 18.3 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 50µA 3.9V @ 250µA

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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