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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFN8403TR
International Rectifier
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AUIRFN8403TR - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRFN8403TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFN8403TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 95A TDSON-8-10
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
AUIRFN8403TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3740

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFN8403TR Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRFN8403TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRFN8403TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-10  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 4.3W (Ta), 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3174 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 95A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRFN8403TR.

Produkteigenschaften AUIRFN8403TR AUIRFL024N AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR
Artikelnummer AUIRFN8403TR AUIRFL024N AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V 100 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3174 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 3050 pF @ 25 V 2170 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 14.5mOhm @ 35A, 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Paket Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-10 SOT-223 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 3.9V @ 50µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 95A (Tc) 2.8A (Ta) 58A (Tc) 84A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 4.3W (Ta), 94W (Tc) 1W (Ta) 4.3W (Ta), 125W (Tc) 4.2W (Ta), 63W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 18.3 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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